PSR 6150は、サブミクロン線幅の集積回路（Power MOSFET/IGBT）のポリシリコン薄膜層研磨に適している

極めて低い窒化物、酸化物の研磨除去率を持ち、同時に多結晶シリコン膜層に比べて高い選択性を持つ

誘電体の速度と選択性は調整可能

高純度コロイダルシリカ

平坦化効率が高い

高希釈比の研磨液製品は、顧客の低コスト予想を満たす