CSR 5100 适用于微米线宽的TSV Copper 快速移除

高稀释比的抛光液产品，针对微米级厚度金属应用

提高TSV铜抛光工艺生产能力的去除率

优异的阻挡层（Ta/TEOS）选择性

缺陷率低

除铜后的形貌满足 TSV 要求

BSR 8300 适用于微米线宽的TSV Front-side 和 TSV Back-side 等CMP工艺

低选择比可应用于TSV Cu/Barrier、Si/Cu、SIN/TEOS/Cu等多介质抛光

调节H2O2% 可以有效调节 Cu 抛光速率，得到需要的选择比

缺陷率低

除铜等多介质后的形貌满足 TSV 要求