Ceria 浆料
完整的turnkey Solution 实现ILD的抛光要求。符合半导体CMP制程的的ceria 粉体在 30—300纳米之间。
配方中提供了有效的研磨颗粒外，在良好的酸碱分散体系上还增加了我们自研的分散材料。适应各种去除二氧化硅的薄膜。
不同型号将体现在不同的移除速率。当增加了选择性材料后将会呈现移除或会被保护的选择性。
Fumed Ceria
粒径：80nm~300nm
应用：ILD CMP
根据 CMP 制程要求，可调节磨料粒径大小和形貌
使用小粒径颗粒，可提供优异的缺陷和划痕性能
乳白色
MOFs Ceria
粒径：5nm~180nm
应用：STI CMP
此 CMP 制程要求，可调节磨料粒径大小和形貌
均匀的形貌和低粒度分布偏差提供了出色的缺陷和划痕性能
添加不同的助剂，可以实现stop on nitride/poly
乳白色
Coprecipitation Ceria+PR
粒径：180nm~400nm
应用于photo mask/wafer glass
氧化铈研磨粒子在生产过程中增加了PR元素
具有更强的机械研磨特征和更高的平坦化移除速率
棕红色
